第二百七十一章 成功了！光刻工厂实现了！
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继续运往下一个步骤，涂抹光刻胶。
自动取片。
自动清洗。
自动涂胶。
自动光刻。
这就是光刻工厂，亦或者说光刻全自动工厂。
两块光掩膜版已经重叠，他们在特定
这也是为什么第一期的光刻工厂只有5000平的原因，因为建造太大也没用，像静电吸盘和各类自动化运输的设备，都是需要定制化购买的，关键有些设备国内还没有，比如静电吸盘设备。
第一期相当于测试，等测试通过就可以扩建二期、三期甚至是第四期的光刻工厂。
当然了。
前提是可以能光刻成功。
“我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版，只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案，这又会出现个问题。”
林天喃喃自语。
像似给陈星几人解释，又像似说给自己听。
“那就是两块光掩膜版堆叠，两块透明基板会削弱极紫外光能量，导致光刻失败。”
“为了解决这个问题，我加大了粒子加速器的功率，让电子运动的速度再次增加。”
“理论上来说，运行功率的加大，会同步放大电子运动的速度，电子在环形存储器的速度越快，辐射出的极紫外光能量就越强，但我并不能确定这个数值是不是正确的，只能说理论可行。”
光刻工厂没有人测试过，谁也不知道行不行。
现在又因为光掩膜版限制，林天只能加大功率，这给测试又增添了不小的难度。
“试试就知道了。”
陈星默默举起手机拍摄。
虽然他们在操控室，但面前的屏幕有显示洁净室的画面，根本不需要亲自前往。
林天微微颔首，没有说话，他双眸注视着监控画面，神色也显得格外紧张。
烘干冷却，涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域，只剩下最后的光刻步骤。
随着透镜组移动到指定位置，13.5纳米波长的极紫外光发生了折射，精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整图案被照射后，最终落到待曝光的半导体硅片表面。
“滋——”
ArF光刻胶遇到光源，内部开始发生化学反应。
而ArF光刻胶又分正胶和反胶，这次曝光用的是正胶，被曝光区域的光刻胶会发生化学反应，没曝光区域则不受到影响。
一块区域被曝光后，透镜组立马移动，侧开照射光源，待移动平台调整后继续移回正位，对下一个区域进行光刻曝光。
12寸半导体硅片，大概能产出232块1.6×1.6的成品裸片，也就是说需要曝光232次。
目前来说，曝光一次的速度大概在1秒，这就需要232秒，也就是差不多4分钟才能把一张半导体硅片全部曝光完成。
虽然这个速度相比较于光刻机慢了差不多一倍，可光刻工厂毕竟是国产自研，而且是第一代产物，后续透镜组和移动平台还能继续优化，追赶上光刻机的光刻速度不是不可能的。
在等待了四分钟后，林天看向陈星等人解释道：“考虑到两块光掩膜版的能量消耗，我们先不急着拿去显影，让半导体硅片再次加热，加剧光刻胶的化学反应。”
陈星、雷兵、夏扬微微颔首，都在等待着结果。
现在这里陈星算半个门外汉，雷兵、夏扬则是都是门外汉，只能听林天安排。
他别说拿去烤了，哪怕是烧，他们也会觉得很合理。
随着林天输入指令，本该送去显影的半导体硅片被传送去了烘烤区域，进行二次加热，加剧ArF光刻胶内部的化学反应。
当这步完成以后，半导体硅片再次被运输，它来到了显影区域。
先用去离子水润湿硅片，紧接着把硅片放在显影平台，上方的机器设备喷出显影液，均匀地撒在半导体硅片表面，进一步溶解被曝光的部分区域。
随着这个步骤完成，半导体硅片表面已经清晰可见电路图案，只差最后的冲洗，将未曝光部分黏着的光刻胶全部清洗掉。
“我好像看见图案了。”
雷兵瞪大双眼，不敢错过任何一丝
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继续运往下一个步骤，涂抹光刻胶。
自动取片。
自动清洗。
自动涂胶。
自动光刻。
这就是光刻工厂，亦或者说光刻全自动工厂。
两块光掩膜版已经重叠，他们在特定
这也是为什么第一期的光刻工厂只有5000平的原因，因为建造太大也没用，像静电吸盘和各类自动化运输的设备，都是需要定制化购买的，关键有些设备国内还没有，比如静电吸盘设备。
第一期相当于测试，等测试通过就可以扩建二期、三期甚至是第四期的光刻工厂。
当然了。
前提是可以能光刻成功。
“我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版，只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案，这又会出现个问题。”
林天喃喃自语。
像似给陈星几人解释，又像似说给自己听。
“那就是两块光掩膜版堆叠，两块透明基板会削弱极紫外光能量，导致光刻失败。”
“为了解决这个问题，我加大了粒子加速器的功率，让电子运动的速度再次增加。”
“理论上来说，运行功率的加大，会同步放大电子运动的速度，电子在环形存储器的速度越快，辐射出的极紫外光能量就越强，但我并不能确定这个数值是不是正确的，只能说理论可行。”
光刻工厂没有人测试过，谁也不知道行不行。
现在又因为光掩膜版限制，林天只能加大功率，这给测试又增添了不小的难度。
“试试就知道了。”
陈星默默举起手机拍摄。
虽然他们在操控室，但面前的屏幕有显示洁净室的画面，根本不需要亲自前往。
林天微微颔首，没有说话，他双眸注视着监控画面，神色也显得格外紧张。
烘干冷却，涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域，只剩下最后的光刻步骤。
随着透镜组移动到指定位置，13.5纳米波长的极紫外光发生了折射，精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整图案被照射后，最终落到待曝光的半导体硅片表面。
“滋——”
ArF光刻胶遇到光源，内部开始发生化学反应。
而ArF光刻胶又分正胶和反胶，这次曝光用的是正胶，被曝光区域的光刻胶会发生化学反应，没曝光区域则不受到影响。
一块区域被曝光后，透镜组立马移动，侧开照射光源，待移动平台调整后继续移回正位，对下一个区域进行光刻曝光。
12寸半导体硅片，大概能产出232块1.6×1.6的成品裸片，也就是说需要曝光232次。
目前来说，曝光一次的速度大概在1秒，这就需要232秒，也就是差不多4分钟才能把一张半导体硅片全部曝光完成。
虽然这个速度相比较于光刻机慢了差不多一倍，可光刻工厂毕竟是国产自研，而且是第一代产物，后续透镜组和移动平台还能继续优化，追赶上光刻机的光刻速度不是不可能的。
在等待了四分钟后，林天看向陈星等人解释道：“考虑到两块光掩膜版的能量消耗，我们先不急着拿去显影，让半导体硅片再次加热，加剧光刻胶的化学反应。”
陈星、雷兵、夏扬微微颔首，都在等待着结果。
现在这里陈星算半个门外汉，雷兵、夏扬则是都是门外汉，只能听林天安排。
他别说拿去烤了，哪怕是烧，他们也会觉得很合理。
随着林天输入指令，本该送去显影的半导体硅片被传送去了烘烤区域，进行二次加热，加剧ArF光刻胶内部的化学反应。
当这步完成以后，半导体硅片再次被运输，它来到了显影区域。
先用去离子水润湿硅片，紧接着把硅片放在显影平台，上方的机器设备喷出显影液，均匀地撒在半导体硅片表面，进一步溶解被曝光的部分区域。
随着这个步骤完成，半导体硅片表面已经清晰可见电路图案，只差最后的冲洗，将未曝光部分黏着的光刻胶全部清洗掉。
“我好像看见图案了。”
雷兵瞪大双眼，不敢错过任何一丝
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